本研究室について

本研究室について

私たちはIoTやAIのための次世代コンピューティング技術においてブレイクスルーをもたらす新しいナノデバイスを探求しています。新材料・新原理による新しいナノデバイスをシリコンLSI上に集積することで新たな価値を生み出すことを目指しています。新しいアイディアをもとにデバイス・プロセスの設計を行い、クリーンルームでデバイスを試作し、詳細な測定・評価を行います。デザインから評価までを、一気通貫、すべて自分たちの手で行うことで、オリジナリティの高い世界初の研究を行っています。現在私たちが注力している研究テーマは以下の通りです(詳しくは研究内容・発表をご覧ください)。
(1) ゲート絶縁膜における負性容量を利用した急峻サブスレショルド係数トランジスタ
(2) 不揮発性メモリを用いたパワーマネージメント技術
(3) 新しいアナログ・多値不揮発性メモリをもちいたニューロモルフィックコンピューティング技術
本研究室は平本研究室と密に協力しあいながら研究を推進しています。また省庁系のプロジェクトに参加したり、他大学・研究機関の研究者や企業との共同研究も積極的に行っています。

小林研究室に興味のある学生へ

シリコン集積回路を用いた集積エレクトロニクスはすべての情報化社会の基盤技術です。シリコントランジスタの微細化は現在も着々と進んでおり、単位面積あたりのトランジスタ数、そしてチップあたりのコストは下がり続けています。しかしその一方で、ムーアの法則とスケーリング原理が半導体産業を牽引することが難しくなってきていることは事実であり、集積エレクトロニクス分野は今、転換点を迎えています。今後、新しいイノベーションを生み出して市場を開拓していくためには、これまでの技術の延長ではない「尖った」デバイス技術が不可欠です。そのため研究者・技術者にはこれまで以上に「ゼロからイチ」を生み出すためのしっかりとした基礎知識やスキルが欠かせません。小林研究室では学生の皆さんに、最先端の研究を通じて研究者・技術者としてのスキルを磨き、創造性を養えるよう指導しています。また小林准教授は産業界(米国IBM)出身であり、その経験のもと、学生の皆さんに研究活動を通じて産業界にどのようにインパクトを与えるかを学ぶ機会を提供しています。研究室は国際色豊かで、英語でのコミュニケーションを磨くことができます。私たちは、「エレクトロニクス分野で社会に貢献したい!」という熱い(または秘めた)情熱をもつ学生を歓迎します。興味がありましたら遠慮なくご連絡ください。研究室見学はいつでも歓迎します。