吳承翰(Chen-Han Wu)
博士課程2年（中途退学）
Eメール: ch-wu[AT]nano.iis.u-tokyo.ac.jp
日掛 凱斗
修士課程修了(2022年4月~2024年3月)/東京エレクトロン
Eメール: hikake[at]nano.iis.u-tokyo.ac.jp
山田 裕貴
共同研究員
Deepak Sharma
修士課程修了(2021年4月~2023年3月2年)/日立中央研究所就職
Eメール: d-sharma[@]iis.u-tokyo.ac.jp
宮 綺雲(QiYun Gong)
修士課程2年(2020年4月~2023年3月）/ 中退
Eメール: qy-gong[at]nano.iis.u-tokyo.ac.jp
Wu, Jixuan
博士研究員(2019年10月~2022年3月）/ 山東大学テニュアトラック研究員
Eメール: jixuanwu[at]nano.iis.u-tokyo.ac.jp
テーマ：第一原理計算に基づく強誘電体デバイスに関する研究
沢辺 慶起
修士課程修了(2020年4月~2022年3月) / ソニーセミコンダクターソリューション就職
Eメール: sawabe[at]nano.iis.u-tokyo.ac.jp
テーマ：強誘電体の分極ダイナミクスとそのデバイス特性への影響に関する研究
梅 潇然(Xiaoran Mei)
修士課程修了(2019年9月~2021年9月)・研究員(2021年10月~2022年2月）/ ソニーセミコンダクターソリューション就職
Eメール: meixiaoran[at]nano.iis.u-tokyo.ac.jp
テーマ：強誘電体トランジスタメモリのデバイス物理に関する研究
進藤 怜史
博士研究員 (2021年5月~2021年10月) / マイクロン再就職
Eメール: shindo[at]nano.iis.u-tokyo.ac.jp
テーマ：酸化物半導体を用いたデバイス技術の研究
莫 非
博士課程修了(2017年9月~2020年9月）・研究員(2020年10月~2021年3月) / キオクシア就職
Eメール: mofei[at]nano.iis.u-tokyo.ac.jp
テーマ：新規メモリによる人工ニューラルネット回路・システム
項 嘉文
修士課程修了(2018年4月~2020年3月）/ マイクロン就職
Eメール: xjw0329[at]nano.iis.u-tokyo.ac.jp
テーマ：新規材料をチャネルとする強誘電体トランジスタに関する研究
金 成吉
博士課程修了(2017年9月~2020年9月）/ Zhejiang Lab（中国）就職
Eメール: cjjin[at]nano.iis.u-tokyo.ac.jp
テーマ：負性容量トランジスタのデバイス物理・設計
Paul Davin Johansen
修士課程修了(2018年9月~2020年9月) / TEL America就職
Eメール: johansenp[at]nano.iis.u-tokyo.ac.jp
テーマ：強誘電体メモリデバイスとそのAIアルゴリズム応用
吉村 英将
修士課程修了（2018年4月～2020年3月）/ キャノン就職
Eメール: yoshimura[at]nano.iis.u-tokyo.ac.jp
テーマ：強誘電体トンネル接合デバイスの設計
多川 祐作
修士課程終了（2017年～2019年）/ 博士課程進学
Eメール: tagawa[at]nano.iis.u-tokyo.ac.jp
テーマ：自発分極反転を用いたトンネル接合のメモリ動作に関する研究
蔣 京珉
博士課程修了（2015年～2018年，平本研学生をco-advise）/ 東芝メモリ就職
Eメール: kmjang[at]nano.iis.u-tokyo.ac.jp
テーマ：Negative-Capacitance FETs based on Ferroelectric Hafnium Oxide for Low-Power VLSIs
