Masaharu Kobayashi, "Device and Process technologies for advanced logic semiconductor", IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) 2026, Matsue, 2026年3月 23日発表.
永井歩武, 小林正治, 「酸化物半導体 TFT を用いた BSPDN 向け高効率 DC-DC コンバータに関する研究」, 18p-S2_203-3, 応用物理学会春季学術講演会, 大岡山, 2026年3月18日発表.
Xingyu Huang, Kota Sakai, Anlan Chen, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi, "Study On the Statistical Variability of High-Performance Crystalline InGaOx Nanosheet Oxide Semiconductor FETs", 18p-S2_203-2, 応用物理学会春季学術講演会, 大岡山, 2026年3月18日発表.
平永良臣, 糸矢祐喜, 小林正治, 「HfO2系強誘電体キャパシタにおける電界サイクリング誘起変化の局所 C–V マッピング観察」, 17a-M_278-13，応用物理学会春季学術講演会, 大岡山, 2026年3月17日発表.
糸矢祐喜, 藤原弘和, Cedric Bareille, 谷内敏之, 小林正治, 「レーザー励起光電子顕微鏡を用いた InZnOx/Hf0.5Zr0.5O2/TiN
強誘電体キャパシタにおけるマルチリークパス形成の電界依存性の観察」, 17a-M_278-12, 応用物理学会春季学術講演会, 大岡山, 2026年3月17日発表.
棚橋 優策 , 坂田 智裕, 桑内 康文, 小川 慎吾, 関 洋文, 坂井 洸太, 小林 正治, 「酸化物半導体を有する積層薄膜の深さ方向膜質評価」, 15a-PB1-6, 応用物理学会春季学術講演会, 大岡山, 2026年3月15日発表.
Pandy Chitra and Masaharu Kobayashi, "Thickness-Dependent Band Structure of In2O3 and Ga-Doped In2O3 Nanosheets: A First-Principles Study", 15a-S4_202-5, 応用物理学会春季学術講演会, 大岡山, 2026年3月15日発表.
Xiaoran Mei, Yaoping Xiao, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi, "Design–Technology Co-Optimization (DTCO) for Inner-Spacer Length Design in Nanosheet Standard Cells Using a Pseudo Logic-Block Gauge", 15a-M_124-11, 応用物理学会春季学術講演会, 大岡山, 2026年3月15日発表.
Yuxuan Wang, Yaoping Xiao, Jinhyun Chun, Xiaoran Mei, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi, "Study on Design-Technology Co-Optimization for Complementary FET Logic", 15a-M_124-10, 応用物理学会春季学術講演会, 大岡山, 2026年3月15日発表.
Yaoping Xiao, Yuxuan Wang, Xiaoran Mei, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi, "Reinvestigation on Subthreshold Swing of Gate-All-Around Nanosheet FETs in Quantum Limit for Voltage Scaling", 15a-M_124-5, 応用物理学会春季学術講演会, 大岡山, 2026年3月15日発表.
Yuki Itoya, Hirokazu Fujiwara, Cedric Bareille, Toshiyuki Taniuchi, Masaharu Kobayashi, "Evidence for Structure- and Electric-Field-Induced Mode Crossover in Multi-Filament Formation in HfO2-Based Ferroelectric Capacitors by In-Situ Laser PEEM", EDTM 2026, T08-T-S3.3-R6, Penang, Malaysis, 2026年3月3日発表.
Masaharu Kobayashi, Anlan-Chen, Ki-woong Park, Kota Sakai, Sunbin Hwang, Xingyu Huang, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, "Gate-All-Around Nanosheet Oxide Semiconductor Transistor with Crystalline InGaOx", EDTM 2026, T03-T-S2.2-R9, Penang, Malaysia, 2026年3月3日発表.
Xingyu Huang, Kota Sakai, Anlan Chen, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi, "On the Statistical Variability of High-Performance Crystalline InGaOx Nanosheet Oxide Semiconductor FETs", IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), T22-7, San Francisco, 2025年12月9日発表.
Kota Sakai, Kaito Hikake, Sung-hun Kim, Yuki Itoya, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoot, and Masaharu Kobayashi, “Reliability improvement of InGaOx FETs by adding Zn in atomic layer deposition process”, Japanese Journal of Applied Physics, 64, 101001 (2025), 2025年10月6日発表.
Ki-Woong Park, Anlan Chen, Kota Sakai, Sunbin Hwang, Xingyu Huang, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, and Masaharu Kobayashi, "A Gate-All-Around Oxide Semiconductor FETs with Selectively Crystallized InGaOx Channel for Performance and Reliability Improvement", IEEE Transactions on Electron Devices, 72, 12, pp.7128-7135, 2025年9月17日発表.
Masaharu Kobayashi, “Nanosheet Oxide Semiconductor Transistors for 3D integrated devices”, International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2025, N1-1, パシフィコ横浜、2025年9月16日発表.
Sunghun Kim, Sun Hong Choi, Kota Sakai, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi, “ALD-Based sn-Doped InGaZNO with Reliability Enhancement”, 応用物理学会秋季学術講演会、9a-n105-8、名城大学、2025年9月9日
坂井洸太、Anlan Chen, Ki-woong Park, Xingyu Park, 更屋拓哉、平本俊郎、Sunbin Hwang、高橋崇典、上沼睦典、浦岡行治、小林正治、「選択的結晶化による多結晶InGaOxを用いたゲートオールアラウンドナノシート酸化物半導体FET」、応用物理学会秋季学術講演会、9a-S203-4、名城大学、2025年9月9日発表.
坂井洸太、Sunbin Hwang、Anlan Chen, Ki-woong Park, Xingyu Huang, 更屋拓哉、平本俊郎、高橋崇典、上沼睦典、浦岡行治、小林正治、「アモルファス・多結晶InGaOxによるナノシート酸化物半導体トランジスタ」、応用物理学会秋季学術講演会、9a-S203-3、2025年9月9日発表.
黄善彬、坂井洸太、高橋崇典、上沼睦典、浦岡行治、小林正治、「ナノシート酸化物半導体―電極界面における電子状態の膜厚依存性」、応用物理学会秋季学術講演会、8p-P10-33、名城大学、2025年9月8日.
糸矢祐喜、更屋拓哉、平本俊郎、小林正治、「HfO2系強誘電体キャパシタの書き換え耐久性の電界依存」、応用物理学会秋季学術講演会、7p-N301-8、名城大学、2025年9月7日発表.
Ki-woong Park,“Gate-All-Around Nanosheet Oxide Semiconductor FETs with Selectively Crystallized InGaOx Channel for Enhanced Performance and Reliability”, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会で開催する研究集会「VLSI特集」、金沢工業大学、2025年8月29日発表.
Hirokazu Fujiwara, Yuki itoya, Masaharu Kobayashi, Cedric Bareille, Toshiyuki Taniuchi, “Breakdown and polarization contrasts in ferroelectric devices observed by operando laser-based photoemission electron microscopy with the AC/DC electrical characterization system”, Ultramicroscocpy, 277, 114221 (2025), 2025年8月11日発表.
Ki-woong Park, “A Gate-All-Around Nanosheet Oxide Semiconductor Transistor by Selective Crystallization of InGaOx for Performance and Reliability Enhancement”, 最先端ナノエレクトロニクス技術調査専門委員会LSIシンポジウム特集、早稲田大学、2025年7月4日発表.
Anlan Chen, Ki-woong Park, Kota Sakai, Sunbin Hwang, Xingyu Huang, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, and Masaharu Kobayashi, “A Gate-All-Around Nanosheet Oxide Semiconductor Transistor by Selective Crystallization of InGaOx for Performance and Reliability Enhancement”, VLSI Symposium 2025, T6-3 (2025), Kyoto, 2025年6月11日発表.
Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Masaharu Kobayashi, and Yukiharu Uraoka, “Ternary amorphous oxide semiconductor of In-Ga-O system for three-dimensional integrated device application”, APL Materials, 13, 051101 (2025), 2025年5月1日発表.