藤原弘和，糸矢祐喜，小林正治，C´edric Bareille，辛埴，谷内敏之，「上部電極越しに観察したHfO2 系強誘電体の分極コントラスト:レーザー励起光電子顕微鏡」，25p-1BJ-1，応用物理学会春季学術講演会，東京都市大学，2024年3月25日
糸矢 祐喜，更屋 拓哉，平本 俊郎，小林 正治，「HfO2系強誘電体キャパシタの下部電極オゾン酸化による絶縁破壊寿命の向上」，25a-1BJ-4，応用物理学会春季学術講演会，東京都市大学，2024年3月25日
日掛 凱斗，李 卓，郝 俊翔，パンディ チトラ，更屋 拓哉，平本 俊郎，髙橋 崇典，上沼 睦典，浦岡 行治，小林 正治，「（招待講演）3 次元集積デバイス応用に向けた原子層堆積法によるInGaOx チャネルナノシートトランジスタ」，22a-12J-3，応用物理学会春季学術講演会，東京都市大学，2024年3月22日
Kaito Hikake, Zhuo Li, Junxiang Hao, Chitra Pandy, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, and Masaharu Kobayashi, "A Nanosheet Oxide Semiconductor FET Using ALD InGaOx Channel for 3-D Integrated Devices", IEEE Transactions on Electron Devices, 71, 4, pp. 2373-2379, 2024年3月14日
Cheng-Hung Wu, Jay Liu, Xun-Ting Zheng, Han-Fu Chuang, Yi-Ming Tseng, Masaharu Kobayashi, Chun-Jung Su, and Vita Pi-Ho Hu, "Innovative Recovery Strategy for MFIS-FeFETs at Optimal Timing With Robust Endurance: Fast-Unipolar Pulsing (100 ns), Nearly Zero Memory Window Loss (0.02%), and Self-Tracking Circuit Design", IEEE Transactions on Electron Devices, Accepted, 2024年3月13日
Hirotaka Yamada, Satoru Furue, Takehiko Yokomori, Yuki Itoya, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi, "Energy-Efficient Annealing Process of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Capacitor Using Ultraviolet-LED for Green Manufacturing", Journal of the Electron Devices Society", 12, pp. 195-200, 2024年2月13日
Yuki Itoya, Hirokazu Fujiwara, Cedric Bareille, Shik Shin, Toshiyuki Taniuchi, and Masaharu Kobayashi, "Dielectric breakdown behavior of ferroelectric HfO2 capacitors by constant voltage stress studied by in situ laser-based photoemission electron microscopy", Japanese Journal of Applied Physics, 63, 020903, 2024年2月5日
小林正治，「原子層堆積法によるナノシート酸化物半導体トランジスタ」，EDIT29（電子デバイス界面テクノロジー研究会），三島，2024年2月1日
Junxiang Hao, Xiaoran Mei, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi, "Oxide-semiconductor channel ferroelectric field-effect transistors for high-density memory applications: 3D NAND operation and the potential impact of in-plane polarization", Japanese Journal of Applied Physics, 63, 014003, 2024年1月9日
Masaharu Kobayashi, "Oxide Semiconductor Transistors for LSI Application", IEEE SISC, San Diego, 2023年12月16日
Masaharu Kobayashi, "A Nanosheet Oxide Semiconductor FET for 3D Integrated Devices", NTU-UTokyo Joint Conference, 国立台湾大学，2023年12月7日
小林正治，「CMOSデバイスの基礎」，シリコンテクノロジー・チュートリアル2023，東京大学，2023年10月28日
小林正治，「先端ロジック技術のデバイス構造とプロセス技術」，d.lab協賛事業「AI & Logic-LSIを支える最先端デバイス・プロセス」，オンライン，2023年10月25日
Hirokazu Fujiwara, Yuki Itoya, Masaharu Kobayashi, Cedric Bareille, Shik Shin, and Toshiyuki Taniuchi, "Nondestructive imaging of breakdown process in ferroelectric capacitors using in situ laser-based photon emission electron microscopy", Applied Physics Letter, 123, 173501, 2023年10月24日
Masaharu Kobayashi, "(Invited) A Nanosheet Oxide Semiconductor Transistor Using Atomic layer Deposition for 3D Integrated Devices", 2023 ICICDT, 東京大学，2023年9月27日
藤原 弘和，糸矢 祐喜，小林 正治，Bareille Cédric，辛 埴，谷内 敏之，「HfO2系強誘電体膜の絶縁破壊箇所の電子状態：レーザー励起光電子顕微鏡」，22a-A201-5，応用物理学会秋季学術講演会，熊本，2023年9月22日
日掛 凱斗，李 卓，郝 俊翔，パンディ チトラ，更屋 拓哉，平本 俊郎，髙橋 崇典，上沼 睦典，浦岡 行治，小林 正治，「３次元集積デバイス応用に向けた原子層堆積法によるInGaOxチャネルナノシートトランジスタ」，20a-A304-9，応用物理学会秋季学術講演会，熊本，2023年9月20日
糸矢 祐喜，藤原 弘和，Bareille Cédric，辛 埴，谷内 敏之，小林 正治，「レーザー励起光電子顕微鏡を用いたHfO2系強誘電体の強誘電ドメイン及びその温度変化の観察」，20p-A309-3，応用物理学会秋季学術講演会，熊本，2023年9月20日
Naomi Yazaki, Ryosuke Motoyoshi, Shiyu Numata, Kazuaki Ohshima, Yuji Egi, Fumito Isaka, Toshikazu Ohno, Sachiaki Tezuka, Toshiki Hamada, Kazuma Furutani, Kazuki Tsuda, Takanori Matsuzaki, Tatsuya Onuki, Tsutomu Murakawa, Hitoshi Kkunitake, Masaharu Kobayashi, and Shunpei Yamazaki, "Effectiveness of c-Axis Aligned Crystalline IGZO FET as Selector Element and Ferroelectric Capacitor Scaling of 1T1C FeRAM", Journal of the Elecgtron Devices Society, 11, pp. 467-472, 2023年8月21日
小林正治，「原子層堆積法による酸化物半導体の成膜とそのナノシートトランジスタへの応用」，第6回Atomic Layer Process (ALP) Workshop，東大生研，2023年8月21日
小林正治，日掛凱斗，李卓，ハオ ジュンシャン，パンディ チトラ，更屋拓哉，平本俊郎，高橋崇典，上沼睦典，浦岡行治，小林正治，「酸化物半導体を用いた集積デバイスに関する研究動向」，日立研究討論会，日立中央研究所，2023年8月3日
小林正治，日掛凱斗，李卓，ハオ ジュンシャン，パンディ チトラ，更屋拓哉，平本俊郎，高橋崇典，上沼睦典，浦岡行治，小林正治，「（招待講演）原子層堆積法によるInGaOチャネルとInSnO電極によるナノシート酸化物半導体トランジスタ」，北海道大学，SDM研究会，2023年8月2日
Masaharu Kobayashi, "A Nanosheet Oxide Semiconductor FET Using Atomic layer Deposition for 3D Integrated Devices", TSMC-UTokyo Research Symposia, online, 2023年7月27日
Masaharu Kobayashi, "(Invited)3D Integrated Device Applications of ALD-Grown Ferroelectric and Oxide-Semiconductor Materials", Bellevue, Washington, 2023年7月26日
日掛凱斗，「（招待講演）三次元集積デバイス応用に向けた原子層堆積法によるInGaOxチャネルナノシートトランジスタ」，電気学会ナノエレクトロニクス機能化・応用技術調査専門委員会，早稲田大学，2023年7月21日
Masaharu Kobayashi, "Memory device technology", d.lab協賛事業「VLSI Symposium 2023報告会」，オンライン，2023年7月12日
藤原 弘和 ，糸矢 祐喜，小林 正治，Cédric Bareille，辛 埴，谷内敏之，「（依頼講演）オペランドレーザー励起光電子顕微鏡による強誘電体
キャパシタの非破壊イメージングの開拓」，SDM研究会，広島大学，2023年6月26日
Kaito Hikake, Zhuo Li, Junxiang Hao, Chitra Pandy, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, and Masaharu Kobayashi, "A Nanosheet Oxide Semiconductor FET Using ALD InGaOx Channel and InSnOx Electrode with Normally-off Operation, High Mobility and Reliability for 3D Integrated Devices", T14.1, VLSI Symposium 2023, Kyoto, 2023年6月15日
Masaharu Kobayashi, "Tutorial 1-3 Monolithic 3D Integration and 3D-Memory Technology Enabled by Oxide-Semiconductor", 2023 VLSI-TSA, Tutorial 1-3, Taiwan Hsinchu, 2023年4月17日