宮澤 徹也、越智 元隆、後藤 裕史、小林 正治、保井 晃、唐 佳藝、「半導体メモリ向けIGZO薄膜トランジスタの熱処理温度による特性変化と深さ分解HAXPESを用いた検証」、応用物理学会春季学術講演会、17p-K501-5、東京理科大学、2025年3月17日
Yaoping Xiao, Xiaoran Mei, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, "Comprehensive Study on the Silicon-Nanosheet Thickness Dependence On the Device Performance of Gate-All-Around NFETs", 応用物理学会春季学術講演会、17a-K101-12、東京理科大学、2025年3月17日
Yaoping Xiao, Xiaoran Mei, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi, "Design Technology Co-optimization (DTCO) for spacer Design in Gate-All-around Nanosheet FETs", 応用物理学会春季学術講演会、17a-K101-11、東京理科大学、2025年3月17日
Xiaoran Mei, Yaoping Xiao, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi, "Component Prioritization Assessment in Gate-All-Around Nanosheet FETs using Design-Technology Co-Optimization (DTCO)", 応用物理学会春季学術講演会、17a-K101-10、東京理科大学、2025年3月17日
黄 善彬、坂井 洸太、髙橋 崇典、上沼 睦典、浦岡 行治、小林 正治、「ナノシート酸化物半導体―電極界面における電子状態の分析」、応用物理学会秋季学術講演会、16a-Y1311-2、東京理科大学、2025年3月16日
小林正治、「酸化物半導体トランジスタの微細化に関する研究」、応用物理学会学術講演会、16p-K203-2、東京理科大学、2025年3月16日
糸矢 祐喜、藤原 弘和、Cédric Bareille、辛 埴、谷内 敏之、小林 正治、「レーザー励起光電子顕微鏡を用いたInZnOx/Hf0.5Zr0.5O2/TiN強誘電体キャパシタのマルチリークパスの分布の解明」、応用物理学会春季学術講演会、14p-K503-12、東京理科大学、2025年3月14日
Xuebin Wang, Kaifei Chen, Yutal Li, Jingsi Qiao, Yuanxiao Ma, Chengji Jin, Jixuan Wu, Jiezhi Chen, Masaharu Kobayashi, Guanhua Yang, Ling Li, Fei Mo, and Yeliang Wang, "A Physics-Based Compact Model for IGZO Channel FET Toward Subthreshold Characteristic Dependent Memory Application", IEEE Transactions on Electron Devices, Mar. 4, 2025.
Masaharu Kobayashi, "On the scalability of nanosheet oxide semiconductor transistors", EDTM 2025, T-12-1-1, Hong Kong, Mar. 11, 2025.
Sung-hun Kim, Kaito Hikake, Zhuo Li, Yuki Itoya, Kota Sakai, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi, "Nanosheet oxide semiconductor FETs with ALD InZnOx compared to InGaOx", Japanese Journal of Applied Physics, 64, 036504, Mar. 11, 2025.
Chitra Pandy and Masaharu Kobayashi, "Structural and electronic properties of interstitial oxygen defect in amorphous
indium gallium oxide (IGO) semiconductors: a theoretical study", Japanese Journal of Applied Physics, 64, 02SP21, Feb. 12, 2025.
Masaharu Kobayashi, "Oxide-based 3D-integrated memory devices", JSAP Review, 250404, Feb, 6 (2025).
Yuki Itoya, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto and Masaharu Kobayashi, "Enhanced reliability of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 capacitors by bottom electrode surface oxidation", Japanese Journal of Applied Physics, 62, 2, 02SP29, Feb. 19, 2025.
小林正治、「先端半導体デバイス技術の現状と展望」、表面科学技術研究会2025、大阪、2025年1月31日
小林正治、「三次元集積デバイス応用に向けたナノスケール酸化物半導体トランジスタの研究報告」、第10回透明酸化物光・電子材料研究会、東京大学、2025年1月24日
小林正治、「酸化物材料による3次元集積メモリデバイスの開発」、応用物理、94, 1, pp.32-36, 2025年1月1日
Masaharu Kobayashi, "On the Scalability of Nanosheet Oxide Semiconductor FETs", IDW 2024, Hokkaido, December 5, 2024.
小林正治、「強誘電体と酸化物半導体によるメモリデバイスの動向」、第11回電子デバイスフォーラム、京都、2024年11月1日
小林正治、「CMOSデバイスの基礎」、シリコンテクノロジー・チュートリアル 2024、東京大学、2024年10月26日
Xingyu Huang, Kaito Hikake, Sung-Hun Kim, Kota Sakai, Zhuo Li, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Yukiharu Uraoka, and Masaharu Kobayashi, "High-Field Transport and Statistical Variability of Nanosheet Oxide Semiconductor FETs With Channel Length Scaling", IEEE Transactions on Electron Devices, pp.1-7, October 18, 2024.
小林正治、「半導体技術の新たな転換点―2nm世代半導体デバイス・プロセス技術」、SEAJウェーハプロセス専門委員会講演会、新宿、2024年10月16日
糸矢 祐喜、小林 正治、「機械学習ポテンシャルを用いたHfO2結晶のモデリングの検討」、応用物理学会秋季学術講演会、16p-C302-6、2024年9月18日、新潟
Kaito Hikake, Xingyu Huang, Sung-hun Kim, Kota Sakai, Zhuo Li, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, Masaharu Kobayashi、応用物理学会秋季学術講演会、16p-C302-5、2024年9月16日、新潟
Sunghun Kim, Kaito Hikake, Zhuo Li, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi, "A Nanosheet Oxide Semiconductor FET Using ALD InZnOx Channel", 応用物理学会秋季学術講演会、16p-C302-5、2024年9月16日、新潟
坂井 洸太、日掛 凱斗、更屋 拓哉、平本 俊郎、小林 正治、「ALD InGaZnOx をチャネル材料とするナノシート酸化物半導体トランジスタ」、応用物理学会秋季学術講演会、16p-C302-6、2024年9月16日、新潟
髙橋 崇典、上沼 睦典、小林 正治、浦岡 行治、「原子層堆積法で成膜した非晶質/多結晶In-Ga-O酸化物トランジスタにおける信頼性劣化起源に関する考察」、応用物理学会秋季学術講演会、16p-C302-4、2024年9月16日、新潟
Yuki Itoya, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi, "Analysis of reliability improvement in HfO2-based ferroelectric capacitors by ozone oxidation of the bottom electrode", SSDM 2024, Himeji, September 3, 2024.
Chitra Pandy and Masaharu Kobayashi, "Theoretical Study on Structural and Electronic Properties of Interstitial Oxygen Defects in Amorphous Indium Gallium Oxide for Transistor Reliability", SSDM 2024, Himeji, September 2, 2024.
小林正治、Xingyu Huang、日掛凱斗、Sung-hun Kim、坂井洸太、Zhuo Li、水谷朋子、更屋拓哉、平本俊郎、高橋崇典、上沼睦典、浦岡行治、「ナノシート酸化物半導体トランジスタにおける高電界輸送と特性ばらつき」、シリコンテクノロジー分科会研究集会、金沢工業大学、2024年8月26日
小林正治、d.lab協賛事業 VLSI Symposium 2024 報告会 メモリデバイス技術、オンライン、2024年7月24日
Masaharu Kobayashi, "Nanosheet oxide semiconductor FETs by Atomic Layer Deposition for 3D LSI application", AM-FPD 2024, Ryukoku University, July 4, 2024
Masaharu Kobayashi, "Oxide semiconductor technology for 3D-integrated devices", TSMC-UTokyo Symposium, Online, July 2, 2024
Kaito Hikake, Xingyu Huang, Sung-hun Kim, Kota Sakai, Zhuo Li, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, and Masaharu Kobayashi, "Scaling Potential of Nanosheet Oxide Semiconductor FETs for Monolithic 3D Integration −ALD Material Engineering, High-Field Transport, Statistical Variability", VLSI Symposium 2024, Hawaii, USA, June 18, 2024.
Sunghun Kim, Kaito Hikake, Zhuo Li, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi, "A Nanosheet Oxide Semiconductor FET Using ALD InZnOx Channel", Silicon Nanoelectronics Workshop 2024, p.61-62, Hawaii, USA, June 16, 2024.
Masaharu Kobayashi, Kaito Hikake, Xingyu Huang, Sung-hun Kim, Kota Sakai, Zhuo Li, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Takanori Takahashi, Mutsunori Uenuma, Yukiharu Uraoka, "(Invited) Performance and reliability of nanosheet oxide semiconductor FETs with ALD-grown InGaO for 3D integration", IEEE IRPS, April 18, 2024.